Les grands plans de Samsung pour faire oublier les déboires des puces Exynos

Samsung est un acteur majeur de la production de puces pour smartphones. L’entreprise sud-coréenne produit notamment ses propres SoC Exynos. Or, ces dernières ont longtemps souffert de la comparaison avec les Snapdragon de Qualcomm, autant en termes de puissance que d’efficacité énergétique. Et ce, au point où un agacement manifeste grondait dans les rangs des consommateurs en Europe où les smartphones Galaxy S étaient équipés d’Exynos, alors que le reste du monde profitait de modèles sous Snapdragon.

Les choses ont changé début 2023 : les Galaxy S23, S23 Plus et S23 Ultra européens étaient dotés d’un Snapdragon 8 Gen 2 pour ne plus faire de jaloux. Oui, mais voilà : Qualcomm s’est appuyé sur le Taïwanais TSMC pour la fabrication du SD8 Gen 2 et il devrait en être de même pour le futur Snapdragon 8 Gen 3 dont l’annonce est attendue fin octobre. Cela n’est pas forcément réjouissant pour Samsung.

En effet, le géant sud-coréen a, par le passé, déjà fabriqué des puces pour Qualcomm et ne veut sans doute pas perdre pour de bon ce client important. Plus globalement, pour retrouver une bonne image de marque et réduire sa dépendance à des acteurs tiers, Samsung pourrait avoir envie de reprendre du poil de la bête sur le marché des puces pour smartphones.

La feuille de route de Samsung Foundry

Avec ce postulat en tête, il est donc intéressant d’observer les annonces faites par l’entreprise pendant le tout récent Samsung Foundry Forum (SFF). La firme y a dévoilé sa feuille de route pour les prochaines années.

On retient ainsi que Samsung Foundry va lancer, en 2025, la production en masse de puces pour smartphones avec un procédé en 2 nm. Le groupe promet une amélioration des performances et de l’efficacité énergétique de 12 et 25 % respectivement par rapport au procédé en 3 nm. À titre indicatif, rappelons que le Snapdragon 8 Gen 2 est gravé en 4 nm et le 8 Gen 3 devrait l’être en 3 nm.

Booster la production

Dans la foulée, en 2027, Samsung prévoit de lancer la production en masse de SoC avec un procédé en 1,4 nm. En outre, l’entreprise installe une nouvelle unité de production aux États-Unis, dans le Texas. Combiné à l’ouverture d’une nouvelle ligne de production dans l’usine de Pyeontaek en Corée du Sud, cela permettra un rendement de production multiplié par 7,3 selon les calculs de Samsung.

Enfin, Samsung affirme qu’il va continuer de s’appuyer sur sa technologie GAA (« gate-all-around ») inaugurée sur son procédé en 3 nm. Celle-ci s’appuie sur des nanofeuilles au lieu de nanofils pour conduire le courant électrique et cela permet notamment d’ajuster la largeur des canaux pour améliorer l’utilisation de l’énergie. Or, cette technique « sera déterminante pour répondre aux besoins de nos clients qui utilisent des applications d’intelligence artificielle », explique Samsung.