Samsung V-NAND : de la mémoire flash 3D pour augmenter les capacités de stockage

Dans le monde mobile, les constructeurs d’appareils utilisent, pour le stockage, des puces de mémoire eMMC ou UFS. Celles-ci renferment en fait, des puces de mémoire flash et un contrôleur. On pourrait comparer l’eMMC à une carte mémoire qui intégrerait son lecteur de carte et la UFS à un SSD miniature. Pour les plus curieux, nous avions publié un article sur les différences entre les puces eMMC et UFS lors de l’annonce, par Samsung, de production de puces UFS 2.0 en février dernier. Cette fois-ci, Samsung vient d’annoncer une nouvelle puce de mémoire flash répondant au doux nom de 3D V-NAND et utilisant la technologie TLC dont on a déjà entendu parler dans le monde mobile, via Samsung justement.

Des SSD de 4 To

Dans les puces d’eMMC ou d’UFS, les entreprises utilisent des puces de mémoire flash classiques, sur une couche. Au contraire, la 3D V-NAND possède la particularité d’empiler les couches, jusqu’à 48 pour la dernière puce de Samsung. L’intérêt est de pouvoir augmenter la capacité de stockage sans modifier la taille de la puce. L’autre conséquence, c’est une baisse des coûts pour une capacité de stockage donnée. C’est pour cette raison que les spécialistes pensent que les puces de mémoire flash 3D réussiront, à terme, à faire énormément baisser le prix des SSD au point de les rendre plus compétitifs qu’un disque dur classique. La puce présentée par Samsung atteint une capacité de 32 Go, contre 16 pour la génération précédente. De quoi proposer des SSD de 15,36 To sans problème, et peut-être des smartphones dotés de 256 voire 512 Go de stockage ?

Une arrivée qui se fait attendre sur mobile

Dans le monde mobile, ce type de puce 3D est très intéressante pour augmenter les capacités d’un smartphone ou d’une tablette. Même si Samsung annonce une baisse de la consommation de l’ordre de 30 % par rapport à la précédente génération (qui se limitait à 32 couches), on peut avoir des doutes sur la consommation globale, puisque cette puce n’est pas gravée en 14 nm, mais sûrement en 40 nm, comme la génération précédente, puisqu’il est difficile de créer une puce de mémoire 3D avec une finesse de gravure plus fine. Pourtant, lors de l’annonce des premières puces de V-NAND, Samsung indiquait une réduction de la consommation de l’ordre de 40 % comparée à une puce de mémoire flash classique. Si les puces de mémoire flash V-NAND ne sont pas encore dans nos mobiles, c’est sûrement lié à la volonté de Samsung de dédier la production au marché des SSD, sûrement plus rémunérateur, notamment avec la gamme 850 EVO, mais aussi plus demandeur face au marché mobile.