Samsung Galaxy S6 EDGE+ : 4 Go de mémoire vive LPDDR4 ?

 
Le Samsung Galaxy S6 EDGE+ sera-t-il doté de 4 Go de mémoire vive LPDDR4 ? C’est en tout cas ce que croit savoir un site vietnamien dédié à l’univers Samsung.
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Selon le site Samsungviet.vn, le futur Samsung Galaxy S6 EDGE+ (SM-G928F) sera disponible avec 4 Go de LPDDR4, la mémoire vive utilisée par Samsung sur ses smartphones haut de gamme depuis cette année. Ces 4 Go de mémoire accompagneront l’Exynos 7420, le même SoC que l’on trouve dans les Galaxy S6 et S6 edge, et non pas le Snapdragon 808 comme certaines rumeurs le laissaient penser. Le Galaxy S6 EDGE+ ne sera pas le premier mobile à intégrer 4 Go de mémoire vive puisque c’est déjà le cas notamment, de l’Asus ZenFone 2 ZE551ML. Pour rappel, une telle quantité de mémoire permet d’ouvrir de nombreuses applications en tâche de fond sans avoir besoin de rafraîchir leur contenu lors de leur réouverture. Pratique, par exemple, pour garder le contenu d’une page Internet même sans connexion.

Le Galaxy S6 EDGE+ aurait également pu être le premier smartphone à intégrer 4 Go de LPDDR4 mais le Mi Note Pro de Xiaomi lui a volé la vedette, avec son Snapdragon 810 et ses 4 Go de mémoire vive de dernière génération. Enfin, dans la gamme des smartphones Samsung, le Galaxy S6 EDGE+ ne devrait pas être le seul à être équipé de 4 Go de mémoire vive puisque le futur Galaxy Note 5 est aussi attendu avec 4 Go de mémoire. Le site vietnamien indique que l’Exynos 7420 de ces deux futurs smartphones serait légèrement plus performant que l’actuel grâce à des fréquences revues à la hausse. Serait-on en face de l’Exynos 7422 qui avait fait parler de lui en mai dernier ? Enfin, le Galaxy S6 EDGE+ serait doté d’une batterie d’une capacité de 3000 mAh.

Selon les rumeurs, les Galaxy S6 EDGE+ et Galaxy Note 5 seront tous les deux officialisés le 13 août prochain avec une disponibilité prévue pour le 21 août.


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